Антава
Разделы каталога

Транзисторы IGBT

Подкатегории

Товары в наличии

Товаров на странице: 10
DG15X12T2

STARPOWER SEMICONDUCTOR

DG15X12T2

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 1.2 kV · Collector current: 15 A

Характеристики и документы
Предложения DG15X12T2
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 6От 1 шт.582,47 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1582,47 ₽
от 3522,96 ₽
от 10463,45 ₽
от 30416,57 ₽

Все цены с НДС 22%

582,47 ₽с НДС 22%
AOTF10B60D2

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

AOTF10B60D2

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 600 V · Collector current: 10 A

Характеристики и документы
Предложения AOTF10B60D2
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 166От 1 шт.241,64 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1241,64 ₽
от 5218,20 ₽
от 25194,76 ₽
от 250174,92 ₽
от 1000162,30 ₽

Все цены с НДС 22%

241,64 ₽с НДС 22%
AIGW40N65F5XKSA1

INFINEON

AIGW40N65F5XKSA1

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Технология: TRENCHSTOP™ 5 · Collector-emitter voltage: 650 V

Характеристики и документы
Предложения AIGW40N65F5XKSA1
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 164От 1 шт.811,49 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1811,49 ₽

Все цены с НДС 22%

811,49 ₽с НДС 22%
STGWA40H65DFB2

STMICROELECTRONICS

STGWA40H65DFB2

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 650 V · Collector current: 45 A

Характеристики и документы
Предложения STGWA40H65DFB2
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 115От 1 шт.643,79 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1643,79 ₽
от 10468,86 ₽
от 30447,22 ₽

Все цены с НДС 22%

643,79 ₽с НДС 22%
IXBT2N250

IXYS

IXBT2N250

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Технология: BiMOSFET™ · Collector-emitter voltage: 2.5 kV

Характеристики и документы
Предложения IXBT2N250
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 298От 1 шт.3 949,27 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 13 949,27 ₽
от 103 795,99 ₽
от 303 644,51 ₽

Все цены с НДС 22%

3 949,27 ₽с НДС 22%
STGW20V60DF

STMICROELECTRONICS

STGW20V60DF

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 600 V · Collector current: 20 A

Характеристики и документы
Предложения STGW20V60DF
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 40От 1 шт.750,18 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1750,18 ₽
от 5568,05 ₽
от 10438,21 ₽
от 30412,96 ₽

Все цены с НДС 22%

750,18 ₽с НДС 22%
IXGH10N170A

IXYS

IXGH10N170A

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Технология: NPT · Collector-emitter voltage: 1.7 kV

Характеристики и документы
Предложения IXGH10N170A
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 274От 1 шт.1 718,56 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 11 718,56 ₽
от 101 393,97 ₽

Все цены с НДС 22%

1 718,56 ₽с НДС 22%
IXYP20N65C3D1

IXYS

IXYP20N65C3D1

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Технология: GenX3™, Planar, XPT™ · Collector-emitter voltage: 650 V

Характеристики и документы
Предложения IXYP20N65C3D1
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 187От 1 шт.861,99 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1861,99 ₽
от 10582,47 ₽
от 50456,24 ₽
от 100414,76 ₽
от 500394,93 ₽

Все цены с НДС 22%

861,99 ₽с НДС 22%
STGP7H60DF

STMICROELECTRONICS

STGP7H60DF

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 600 V · Collector current: 7 A

Характеристики и документы
Предложения STGP7H60DF
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 284От 1 шт.221,81 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1221,81 ₽
от 3200,17 ₽
от 10185,74 ₽
от 50176,73 ₽
от 150158,69 ₽
от 500147,87 ₽
от 1000144,27 ₽
от 2000137,05 ₽
от 6000133,45 ₽

Все цены с НДС 22%

221,81 ₽с НДС 22%
IXGH2N250

IXYS

IXGH2N250

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Технология: NPT · Collector-emitter voltage: 2.5 kV

Характеристики и документы
Предложения IXGH2N250
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 300От 1 шт.3 534,51 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 13 534,51 ₽
от 33 404,67 ₽
от 103 273,03 ₽
от 303 141,38 ₽
от 1203 033,18 ₽

Все цены с НДС 22%

3 534,51 ₽с НДС 22%