Антава

IXYS

Транзистор IXGH10N170A

IXGH10N170A
Type of transistor
IGBT
Technology
NPT
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
5 A
Power dissipation
140 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGH10N170A
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyNPT
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current5 A
Power dissipation140 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current20 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge29nC
Kind of packagetube
Turn-on time107ns
Turn-off time240ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO247-3

Документация

Документ производителя