Антава

IXYS

Транзистор IXGH2N250

IXGH2N250
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
2.5 kV
Collector current
2 A
Рассеиваемая мощность
32 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 300 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%3 531,67 ₽

Сумма · с НДС 22%3 531,67 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 531,67 ₽
от 33 401,93 ₽
от 103 270,39 ₽
от 303 138,86 ₽
от 1203 030,75 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXGH2N250
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage2.5 kV
Collector current2 A
Рассеиваемая мощность32 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current13.5 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge10.5nC
Kind of packagetube
Turn-on time115ns
Turn-off time278ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3

Документация

Документ производителя