Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGWA40H65DFB2

STGWA40H65DFB2
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
45 A
Power dissipation
230 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 115 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%685,66 ₽

Сумма · с НДС 22%685,66 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1685,66 ₽
от 10507,05 ₽
от 30484,00 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTGWA40H65DFB2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current45 A
Power dissipation230 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge153nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3

Документация

Документ производителя