IXYS
Транзистор IXYP20N65C3D1
- Type of transistor
- IGBT
- Технология
- GenX3™, Planar, XPT™
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 20 A
- Power dissipation
- 200 W
- Корпус
- TO220-3
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 187 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%912,70 ₽
Сумма · с НДС 22%912,70 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 912,70 ₽ | |
| от 10 | 616,74 ₽ | |
| от 50 | 483,08 ₽ | |
| от 100 | 439,17 ₽ | |
| от 500 | 418,16 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXYP20N65C3D1 |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | IGBT |
| Технология | GenX3™, Planar, XPT™ |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 20 A |
| Power dissipation | 200 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 105 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 30nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 51ns |
| Turn-off time | 132ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.