Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор DG15X12T2

DG15X12T2
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
15 A
Power dissipation
138 W
Корпус
TO247
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 9 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%615,86 ₽

Сумма · с НДС 22%615,86 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1615,86 ₽
от 3552,94 ₽
от 10490,02 ₽
от 30440,45 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDG15X12T2
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current15 A
Power dissipation138 W
КорпусTO247
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current45 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Turn-on time103ns
Turn-off time484ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247

Документация

Документ производителя