Антава

IXYS

Транзистор IXBT2N250

IXBT2N250
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
2.5 kV
Collector current
2 A
Power dissipation
32 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 298 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%4 175,67 ₽

Сумма · с НДС 22%4 175,67 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 14 175,67 ₽
от 104 013,60 ₽
от 303 853,44 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXBT2N250
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
Collector-emitter voltage2.5 kV
Collector current2 A
Power dissipation32 W
КорпусTO268
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current13 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.6nC
Kind of packagetube
Turn-on time310ns
Turn-off time252ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268

Документация

Документ производителя