Антава
Разделы каталога

Транзисторы и модули IGBT

Подкатегории

Товары в наличии

Товаров на странице: 12
GD15PJY120L2S

STARPOWER SEMICONDUCTOR

GD15PJY120L2S

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: diode/transistor · Topology: boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge

Характеристики и документы
Предложения GD15PJY120L2S
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 15От 1 шт.7 007,85 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 17 007,85 ₽
от 36 206,29 ₽
от 125 576,87 ₽
от 245 185,95 ₽

Все цены с НДС 22%

7 007,85 ₽с НДС 22%
2SP0115T2C0-17

POWER INTEGRATIONS

2SP0115T2C0-17

Драйвер

Type of semiconductor module: gate driver board · Topology: IGBT half-bridge · Рабочая температура: -40...85 °C

Характеристики и документы
Предложения 2SP0115T2C0-17
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 12От 1 шт.17 365,41 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 117 365,41 ₽
от 4816 172,92 ₽
от 10815 547,10 ₽

Все цены с НДС 22%

17 365,41 ₽с НДС 22%
GD35PJY120L3S

STARPOWER SEMICONDUCTOR

GD35PJY120L3S

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: diode/transistor · Topology: boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge

Характеристики и документы
Предложения GD35PJY120L3S
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 10От 1 шт.10 913,45 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 110 913,45 ₽
от 49 634,90 ₽
от 168 657,60 ₽

Все цены с НДС 22%

10 913,45 ₽с НДС 22%
IXYH60N90C3

IXYS

IXYH60N90C3

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Технология: GenX3™, Planar, XPT™ · Collector-emitter voltage: 900 V

Характеристики и документы
Предложения IXYH60N90C3
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 190От 1 шт.2 255,85 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 12 255,85 ₽
от 51 850,59 ₽
от 101 651,54 ₽
от 301 391,53 ₽
от 601 278,56 ₽
от 1201 231,93 ₽

Все цены с НДС 22%

2 255,85 ₽с НДС 22%
STGW40H120DF2

STMICROELECTRONICS

STGW40H120DF2

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 1.2 kV · Collector current: 40 A

Характеристики и документы
Предложения STGW40H120DF2
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 58От 1 шт.1 361,04 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 11 361,04 ₽
от 31 239,11 ₽
от 51 156,62 ₽
от 101 032,89 ₽
от 30961,16 ₽

Все цены с НДС 22%

1 361,04 ₽с НДС 22%
LGEGB15N65T2

LUGUANG ELECTRONIC

LGEGB15N65T2

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 650 V · Collector current: 15 A

Характеристики и документы
Предложения LGEGB15N65T2
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 536От 1 шт.138,08 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1138,08 ₽
от 10125,88 ₽
от 25112,25 ₽
от 100103,65 ₽
от 40097,37 ₽
от 80091,27 ₽
от 160086,43 ₽

Все цены с НДС 22%

138,08 ₽с НДС 22%
IXXH40N65B4

IXYS

IXXH40N65B4

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Технология: GenX4™, Trench, XPT™ · Collector-emitter voltage: 650 V

Характеристики и документы
Предложения IXXH40N65B4
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 300От 1 шт.1 289,32 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 11 289,32 ₽
от 31 160,20 ₽
от 101 025,71 ₽
от 30921,71 ₽

Все цены с НДС 22%

1 289,32 ₽с НДС 22%
SKM400GAL12E4 22892314

SEMIKRON DANFOSS

SKM400GAL12E4 22892314

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: diode/transistor · Topology: boost chopper

Характеристики и документы
Предложения SKM400GAL12E4 22892314
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 10От 1 шт.41 008,83 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 141 008,83 ₽
от 338 188,11 ₽
от 835 584,38 ₽

Все цены с НДС 22%

41 008,83 ₽с НДС 22%
IHW25N120E1XKSA1

INFINEON

IHW25N120E1XKSA1

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Технология: TRENCHSTOP™ RC · Collector-emitter voltage: 1.2 kV

Характеристики и документы
Предложения IHW25N120E1XKSA1
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 17От 1 шт.762,11 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1762,11 ₽
от 10503,89 ₽
от 30433,96 ₽
от 60394,51 ₽
от 120381,95 ₽

Все цены с НДС 22%

762,11 ₽с НДС 22%
LGEGW50N65F1A

LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW50N65F1A

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 650 V · Collector current: 50 A

Характеристики и документы
Предложения LGEGW50N65F1A
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 452От 1 шт.570,24 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1570,24 ₽
от 3512,86 ₽
от 10453,68 ₽
от 30419,61 ₽
от 120394,51 ₽
от 240365,81 ₽
от 450344,30 ₽

Все цены с НДС 22%

570,24 ₽с НДС 22%
AOK40B65H1

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

AOK40B65H1

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 650 V · Collector current: 40 A

Характеристики и документы
Предложения AOK40B65H1
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 116От 1 шт.733,42 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1733,42 ₽
от 3649,14 ₽
от 10584,59 ₽
от 90545,13 ₽
от 240505,68 ₽

Все цены с НДС 22%

733,42 ₽с НДС 22%
IXYH100N65C3

IXYS

IXYH100N65C3

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Технология: GenX3™, Planar, XPT™ · Collector-emitter voltage: 650 V

Характеристики и документы
Предложения IXYH100N65C3
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 86От 1 шт.2 469,24 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 12 469,24 ₽
от 52 297,10 ₽
от 102 121,36 ₽
от 301 726,86 ₽
от 601 665,89 ₽

Все цены с НДС 22%

2 469,24 ₽с НДС 22%