Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор GD15PJY120L2S

GD15PJY120L2S
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
15 A
Корпус
L2.2
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 15 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%7 053,39 ₽

Сумма · с НДС 22%7 053,39 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 17 053,39 ₽
от 36 246,61 ₽
от 125 613,11 ₽
от 245 219,65 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяGD15PJY120L2S
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyboost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current15 A
КорпусL2.2
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current30 A
ТехнологияAdvanced Trench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2

Документация

Документы пока не предоставлены.