Антава

IXYS

Транзистор IXYH100N65C3

IXYH100N65C3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
100 A
Рассеиваемая мощность
830 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 90 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 509,90 ₽

Сумма · с НДС 22%2 509,90 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 509,90 ₽
от 52 334,91 ₽
от 102 156,29 ₽
от 301 755,29 ₽
от 601 693,31 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXYH100N65C3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current100 A
Рассеиваемая мощность830 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current420 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge172nC
Kind of packagetube
Turn-on time62ns
Turn-off time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3

Документация

Документ производителя