LUGUANG ELECTRONIC
Транзистор LGEGB15N65T2
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 15 A
- Рассеиваемая мощность
- 125 W
- Корпус
- TO263
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 536 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%144,33 ₽
Сумма · с НДС 22%144,33 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 144,33 ₽ | |
| от 10 | 130,64 ₽ | |
| от 25 | 116,40 ₽ | |
| от 100 | 107,78 ₽ | |
| от 400 | 101,22 ₽ | |
| от 800 | 94,84 ₽ | |
| от 1600 | 89,60 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | LGEGB15N65T2 |
|---|---|
| Производитель | LUGUANG ELECTRONIC |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 15 A |
| Рассеиваемая мощность | 125 W |
| Корпус | TO263 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 60 A |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 45nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Turn-on time | 40ns |
| Turn-off time | 150ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.