Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор GD35PJY120L3S

GD35PJY120L3S
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
35 A
Корпус
L3.0
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 10 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%11 407,44 ₽

Сумма · с НДС 22%11 407,44 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 111 407,44 ₽
от 410 071,01 ₽
от 169 049,48 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяGD35PJY120L3S
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyboost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current35 A
КорпусL3.0
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current70 A
ТехнологияAdvanced Trench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0

Документация

Документы пока не предоставлены.