Антава

IXYS

Транзистор IXXH40N65B4

IXXH40N65B4
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Power dissipation
455 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXXH40N65B4
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Power dissipation455 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current225 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge66nC
Kind of packagetube
Turn-on time67ns
Turn-off time252ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3

Документация

Документ производителя