Каталог компонентов

Транзисторы и модули IGBT

Подкатегории

Транзисторы IGBT Модули IGBT

Товары в наличии

Товаров на странице: 12

STARPOWER SEMICONDUCTOR

GD15PJY120L2S

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: diode/transistor · Topology: boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge

Характеристики и документы

Предложения GD15PJY120L2S
Срок поставки	Доступно, шт.	Заказ	Цена / шт.	Количество	Сумма	Действие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 31.10, 03:55	15	От 1 шт.	7 007,85 ₽с НДС 22% Цены от количества от 17 007,85 ₽ от 36 206,29 ₽ от 125 576,87 ₽ от 245 185,95 ₽ Все цены с НДС 22%		7 007,85 ₽с НДС 22%

POWER INTEGRATIONS

2SP0115T2C0-17

Драйвер

Type of semiconductor module: gate driver board · Topology: IGBT half-bridge · Рабочая температура: -40...85 °C

Характеристики и документы

Предложения 2SP0115T2C0-17
Срок поставки	Доступно, шт.	Заказ	Цена / шт.	Количество	Сумма	Действие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 31.10, 03:55	12	От 1 шт.	17 365,41 ₽с НДС 22% Цены от количества от 117 365,41 ₽ от 4816 172,92 ₽ от 10815 547,10 ₽ Все цены с НДС 22%		17 365,41 ₽с НДС 22%

POWERSEM

PSHI 25/06

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: transistor/transistor · Topology: H-bridge

Характеристики и документы

Предложения PSHI 25/06
Срок поставки	Доступно, шт.	Заказ	Цена / шт.	Количество	Сумма	Действие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 31.10, 03:55	15	От 1 шт.	5 298,92 ₽с НДС 22% Цены от количества от 15 298,92 ₽ от 34 434,60 ₽ от 103 862,57 ₽ Все цены с НДС 22%		5 298,92 ₽с НДС 22%

INFINEON

FF200R12KE3HOSA1

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: transistor/transistor · Topology: IGBT half-bridge

Характеристики и документы

Предложения FF200R12KE3HOSA1
Срок поставки	Доступно, шт.	Заказ	Цена / шт.	Количество	Сумма	Действие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 31.10, 03:55	5	От 1 шт.	23 467,69 ₽с НДС 22% Цены от количества от 123 467,69 ₽ Все цены с НДС 22%		23 467,69 ₽с НДС 22%

IXYS

IXXH60N65B4

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Технология: GenX4™, Trench, XPT™ · Collector-emitter voltage: 650 V

Характеристики и документы

Предложения IXXH60N65B4
Срок поставки	Доступно, шт.	Заказ	Цена / шт.	Количество	Сумма	Действие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 31.10, 03:55	134	От 1 шт.	1 588,78 ₽с НДС 22% Цены от количества от 11 588,78 ₽ от 31 422,01 ₽ от 51 316,21 ₽ от 101 167,38 ₽ от 30962,95 ₽ от 60930,67 ₽ Все цены с НДС 22%		1 588,78 ₽с НДС 22%

LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW40N120F2

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 1.2 kV · Collector current: 40 A

Характеристики и документы

Предложения LGEGW40N120F2
Срок поставки	Доступно, шт.	Заказ	Цена / шт.	Количество	Сумма	Действие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 31.10, 03:55	115	От 1 шт.	864,33 ₽с НДС 22% Цены от количества от 1864,33 ₽ от 3776,46 ₽ от 10688,59 ₽ от 30638,38 ₽ от 120597,14 ₽ от 240554,10 ₽ от 450536,17 ₽ Все цены с НДС 22%		864,33 ₽с НДС 22%

STMICROELECTRONICS

STGP30H60DFB

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 600 V · Collector current: 30 A

Характеристики и документы

Предложения STGP30H60DFB
Срок поставки	Доступно, шт.	Заказ	Цена / шт.	Количество	Сумма	Действие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 31.10, 03:55	93	От 1 шт.	453,68 ₽с НДС 22% Цены от количества от 1453,68 ₽ от 2428,58 ₽ от 3405,26 ₽ от 10369,40 ₽ Все цены с НДС 22%		453,68 ₽с НДС 22%

STMICROELECTRONICS

STGP19NC60SD

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 600 V · Collector current: 20 A

Характеристики и документы

Предложения STGP19NC60SD
Срок поставки	Доступно, шт.	Заказ	Цена / шт.	Количество	Сумма	Действие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 31.10, 03:55	506	От 1 шт.	570,24 ₽с НДС 22% Цены от количества от 1570,24 ₽ от 10385,54 ₽ от 25329,95 ₽ от 50297,67 ₽ от 100272,57 ₽ от 200251,05 ₽ от 500227,74 ₽ от 1000213,39 ₽ от 2000197,25 ₽ от 5000179,32 ₽ Все цены с НДС 22%		570,24 ₽с НДС 22%

INFINEON

IKW15N120T2FKSA1

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Технология: TRENCHSTOP™ 2 · Collector-emitter voltage: 1.2 kV

Характеристики и документы

Предложения IKW15N120T2FKSA1
Срок поставки	Доступно, шт.	Заказ	Цена / шт.	Количество	Сумма	Действие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 31.10, 03:55	27	От 1 шт.	921,71 ₽с НДС 22% Цены от количества от 1921,71 ₽ от 10620,45 ₽ от 30600,72 ₽ Все цены с НДС 22%		921,71 ₽с НДС 22%

INFINEON

IGW20N60H3FKSA1

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Технология: TRENCHSTOP™ 3 · Collector-emitter voltage: 600 V

Характеристики и документы

Предложения IGW20N60H3FKSA1
Срок поставки	Доступно, шт.	Заказ	Цена / шт.	Количество	Сумма	Действие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 31.10, 03:55	102	От 1 шт.	561,27 ₽с НДС 22% Цены от количества от 1561,27 ₽ от 2412,44 ₽ от 3385,54 ₽ от 10338,92 ₽ от 30322,78 ₽ Все цены с НДС 22%		561,27 ₽с НДС 22%

STMICROELECTRONICS

STGP6NC60HD

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 600 V · Collector current: 15 A

Характеристики и документы

Предложения STGP6NC60HD
Срок поставки	Доступно, шт.	Заказ	Цена / шт.	Количество	Сумма	Действие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 31.10, 03:55	112	От 1 шт.	329,95 ₽с НДС 22% Цены от количества от 1329,95 ₽ от 5216,98 ₽ от 10195,46 ₽ от 50156,01 ₽ от 100143,46 ₽ от 500134,49 ₽ Все цены с НДС 22%		329,95 ₽с НДС 22%

SEMIKRON DANFOSS

SKM400GAL125D 22890750

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: diode/transistor · Topology: boost chopper

Характеристики и документы

Предложения SKM400GAL125D 22890750
Срок поставки	Доступно, шт.	Заказ	Цена / шт.	Количество	Сумма	Действие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 31.10, 03:55	9	От 1 шт.	86 140,24 ₽с НДС 22% Цены от количества от 186 140,24 ₽ от 377 244,14 ₽ от 872 253,65 ₽ Все цены с НДС 22%		86 140,24 ₽с НДС 22%

Каталог компонентов

Транзисторы и модули IGBT

Товары в наличии

Корзина