LUGUANG ELECTRONIC
Транзистор LGEGW40N120F2
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 40 A
- Рассеиваемая мощность
- 417 W
- Корпус
- TO247
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 119 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%891,29 ₽
Сумма · с НДС 22%891,29 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 891,29 ₽ | |
| от 3 | 801,79 ₽ | |
| от 10 | 710,42 ₽ | |
| от 30 | 656,35 ₽ | |
| от 120 | 615,33 ₽ | |
| от 240 | 570,58 ₽ | |
| от 450 | 551,93 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | LGEGW40N120F2 |
|---|---|
| Производитель | LUGUANG ELECTRONIC |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 40 A |
| Рассеиваемая мощность | 417 W |
| Корпус | TO247 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 160 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 250nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 135ns |
| Turn-off time | 270ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.