Антава

INFINEON

Транзистор FF200R12KE3HOSA1

FF200R12KE3HOSA1
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
200 A
Корпус
AG-62MM-1
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%23 854,04 ₽

Сумма · с НДС 22%23 854,04 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 123 854,04 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFF200R12KE3HOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current200 A
КорпусAG-62MM-1
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current400 A
Рассеиваемая мощность1.05 kW
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A

Документация

Документ производителя