STMICROELECTRONICS
Транзистор STGP19NC60SD
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 20 A
- Рассеиваемая мощность
- 130 W
- Корпус
- TO220AB
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 506 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%573,46 ₽
Сумма · с НДС 22%573,46 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 573,46 ₽ | |
| от 10 | 387,71 ₽ | |
| от 25 | 331,81 ₽ | |
| от 50 | 299,35 ₽ | |
| от 100 | 274,10 ₽ | |
| от 200 | 252,46 ₽ | |
| от 500 | 229,02 ₽ | |
| от 1000 | 214,60 ₽ | |
| от 2000 | 198,37 ₽ | |
| от 5000 | 180,33 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STGP19NC60SD |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 20 A |
| Рассеиваемая мощность | 130 W |
| Корпус | TO220AB |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 80 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 54.5nC |
| Kind of package | tube |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.