STMICROELECTRONICS
Транзистор STGP30H60DFB
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 30 A
- Рассеиваемая мощность
- 260 W
- Корпус
- TO220AB
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 106 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%465,18 ₽
Сумма · с НДС 22%465,18 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 465,18 ₽ | |
| от 2 | 439,44 ₽ | |
| от 3 | 415,54 ₽ | |
| от 10 | 378,77 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STGP30H60DFB |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 30 A |
| Рассеиваемая мощность | 260 W |
| Корпус | TO220AB |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 120 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 149nC |
| Kind of package | tube |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.