Антава
Разделы каталога

Транзисторы и модули IGBT

Подкатегории

Товары в наличии

Товаров на странице: 8
STGF10NB60SD

STMICROELECTRONICS

STGF10NB60SD

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 600 V · Collector current: 23 A

Характеристики и документы
Предложения STGF10NB60SD
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 12От 1 шт.396,43 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1396,43 ₽
от 10335,58 ₽
от 50298,70 ₽

Все цены с НДС 22%

396,43 ₽с НДС 22%
FGY60T120SQDN

ONSEMI

FGY60T120SQDN

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 1.2 kV · Collector current: 60 A

Характеристики и документы
Предложения FGY60T120SQDN
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 18От 1 шт.2 149,93 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 12 149,93 ₽
от 41 880,72 ₽
от 101 742,44 ₽

Все цены с НДС 22%

2 149,93 ₽с НДС 22%
IKA10N65ET6XKSA2

INFINEON

IKA10N65ET6XKSA2

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Технология: TRENCHSTOP™ 6 · Collector-emitter voltage: 650 V

Характеристики и документы
Предложения IKA10N65ET6XKSA2
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 52От 1 шт.317,14 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1317,14 ₽
от 10293,17 ₽
от 50278,42 ₽
от 100252,61 ₽
от 250234,17 ₽
от 500219,42 ₽

Все цены с НДС 22%

317,14 ₽с НДС 22%
HFGM150D12V3

HUAJING

HFGM150D12V3

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: transistor/transistor · Topology: IGBT half-bridge

Характеристики и документы
Предложения HFGM150D12V3
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 5От 1 шт.19 201,83 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 119 201,83 ₽
от 317 273,17 ₽
от 1015 267,06 ₽

Все цены с НДС 22%

19 201,83 ₽с НДС 22%
LGEGW20N65SEK

LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW20N65SEK

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 650 V · Collector current: 20 A

Характеристики и документы
Предложения LGEGW20N65SEK
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 130От 1 шт.427,77 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1427,77 ₽
от 3385,36 ₽
от 10341,11 ₽
от 30318,99 ₽
от 120296,86 ₽
от 240276,58 ₽
от 450263,67 ₽

Все цены с НДС 22%

427,77 ₽с НДС 22%
STGP5H60DF

STMICROELECTRONICS

STGP5H60DF

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 600 V · Collector current: 5 A

Характеристики и документы
Предложения STGP5H60DF
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 83От 1 шт.318,99 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1318,99 ₽
от 10199,14 ₽
от 25169,63 ₽
от 50156,73 ₽
от 100151,20 ₽

Все цены с НДС 22%

318,99 ₽с НДС 22%
DG75X12T2

STARPOWER SEMICONDUCTOR

DG75X12T2

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 1.2 kV · Collector current: 75 A

Характеристики и документы
Предложения DG75X12T2
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 53От 1 шт.2 210,77 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 12 210,77 ₽
от 31 989,51 ₽
от 101 759,03 ₽
от 301 580,18 ₽

Все цены с НДС 22%

2 210,77 ₽с НДС 22%
HFGM75D12V1

HUAJING

HFGM75D12V1

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: transistor/transistor · Topology: IGBT half-bridge

Характеристики и документы
Предложения HFGM75D12V1
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 3От 1 шт.11 271,44 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 111 271,44 ₽
от 310 137,48 ₽
от 108 964,79 ₽

Все цены с НДС 22%

11 271,44 ₽с НДС 22%