Антава

ONSEMI

Транзистор FGY60T120SQDN

FGY60T120SQDN
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
60 A
Power dissipation
259 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±25 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 18 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 214,81 ₽

Сумма · с НДС 22%2 214,81 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 214,81 ₽
от 41 937,48 ₽
от 101 795,02 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFGY60T120SQDN
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current60 A
Power dissipation259 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±25 V
Pulsed collector current240 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge311nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.