Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGF10NB60SD

STGF10NB60SD
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600V
Collector current
23A
Power dissipation
25W
Корпус
TO220FP
Gate-emitter voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTGF10NB60SD
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600V
Collector current23A
Power dissipation25W
КорпусTO220FP
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current80A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge33nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 23A; 25W; TO220FP

Документация

Документ производителя