HUAJING
Транзистор HFGM150D12V3
Фото недоступно- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- transistor/transistor
- Topology
- IGBT half-bridge
- Max. off-state voltage
- 1.2kV
- Collector current
- 150A
- Корпус
- V3 62MM
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | HFGM150D12V3 |
|---|---|
| Производитель | HUAJING |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
| Topology | IGBT half-bridge |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Collector current | 150A |
| Корпус | V3 62MM |
| Application | for UPS, Inverter |
| Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Pulsed collector current | 350A |
| Technology | PT |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.