HUAJING
Транзистор HFGM75D12V1
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- transistor/transistor
- Topology
- IGBT half-bridge
- Max. off-state voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 75 A
- Корпус
- V1
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 3 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%11 113,86 ₽
Сумма · с НДС 22%11 113,86 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 11 113,86 ₽ | |
| от 3 | 9 995,80 ₽ | |
| от 10 | 8 839,87 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | HFGM75D12V1 |
|---|---|
| Производитель | HUAJING |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
| Topology | IGBT half-bridge |
| Max. off-state voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 75 A |
| Корпус | V1 |
| Application | for UPS, Inverter |
| Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
| Gate-emitter voltage | ±30 V |
| Pulsed collector current | 200 A |
| Технология | PT |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.