Антава
Разделы каталога

Модули IGBT

Товары в наличии

Товаров на странице: 11
APT40GP90JDQ2

MICROCHIP

APT40GP90JDQ2

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: single transistor · Max. off-state voltage: 900 V

Характеристики и документы
Предложения APT40GP90JDQ2
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 20От 1 шт.8 011,76 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 18 011,76 ₽

Все цены с НДС 22%

8 011,76 ₽с НДС 22%
GD15PJY120L2S

STARPOWER SEMICONDUCTOR

GD15PJY120L2S

Транзистор

Module: IGBT; Диод/Транзистор; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2

Характеристики и документы
Предложения GD15PJY120L2S
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 15От 1 шт.7 053,39 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 17 053,39 ₽
от 36 246,61 ₽
от 125 613,11 ₽
от 245 219,65 ₽

Все цены с НДС 22%

7 053,39 ₽с НДС 22%
2SP0115T2C0-17

POWER INTEGRATIONS

2SP0115T2C0-17

Драйвер

Type of semiconductor module: gate driver board · Topology: IGBT half-bridge · Рабочая температура: -40...85 °C

Характеристики и документы
Предложения 2SP0115T2C0-17
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 12От 1 шт.17 478,24 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 117 478,24 ₽
от 4816 278,01 ₽
от 10815 648,12 ₽

Все цены с НДС 22%

17 478,24 ₽с НДС 22%
GD35PJY120L3S

STARPOWER SEMICONDUCTOR

GD35PJY120L3S

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: diode/transistor · Topology: boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge

Характеристики и документы
Предложения GD35PJY120L3S
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 10От 1 шт.10 984,37 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 110 984,37 ₽
от 49 697,50 ₽
от 168 713,85 ₽

Все цены с НДС 22%

10 984,37 ₽с НДС 22%
SKM50GD125D 21918010

SEMIKRON DANFOSS

SKM50GD125D 21918010

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: transistor/transistor · Topology: IGBT three-phase bridge

Характеристики и документы
Предложения SKM50GD125D 21918010
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 9От 1 шт.72 286,37 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 172 286,37 ₽
от 365 079,57 ₽
от 557 436,00 ₽

Все цены с НДС 22%

72 286,37 ₽с НДС 22%
PSHI 25/06

POWERSEM

PSHI 25/06

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: transistor/transistor · Topology: H-bridge

Характеристики и документы
Предложения PSHI 25/06
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 15От 1 шт.5 333,36 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 15 333,36 ₽
от 34 463,41 ₽
от 103 887,66 ₽

Все цены с НДС 22%

5 333,36 ₽с НДС 22%
FF300R12KE3

INFINEON

FF300R12KE3

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: transistor/transistor · Topology: IGBT half-bridge

Характеристики и документы
Предложения FF300R12KE3
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 10От 1 шт.32 790,66 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 132 790,66 ₽

Все цены с НДС 22%

32 790,66 ₽с НДС 22%
SKM400GB12T4 22892080

SEMIKRON DANFOSS

SKM400GB12T4 22892080

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: transistor/transistor · Topology: IGBT half-bridge

Характеристики и документы
Предложения SKM400GB12T4 22892080
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 4От 1 шт.74 251,86 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 174 251,86 ₽
от 365 734,73 ₽
от 855 033,73 ₽

Все цены с НДС 22%

74 251,86 ₽с НДС 22%
SEMIX71GD12E4S 27890190

SEMIKRON DANFOSS

SEMIX71GD12E4S 27890190

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: transistor/transistor · Topology: IGBT three-phase bridge, thermistor

Характеристики и документы
Предложения SEMIX71GD12E4S 27890190
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 2От 1 шт.29 919,13 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 129 919,13 ₽
от 326 424,93 ₽

Все цены с НДС 22%

29 919,13 ₽с НДС 22%
FF200R12KE3HOSA1

INFINEON

FF200R12KE3HOSA1

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: transistor/transistor · Topology: IGBT half-bridge

Характеристики и документы
Предложения FF200R12KE3HOSA1
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 5От 1 шт.23 620,18 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 123 620,18 ₽

Все цены с НДС 22%

23 620,18 ₽с НДС 22%
SKM300GB12E4 22892077

SEMIKRON DANFOSS

SKM300GB12E4 22892077

Транзистор

Module: IGBT; Транзистор/Транзистор; IGBT half-bridge; Ic: 300A

Характеристики и документы
Предложения SKM300GB12E4 22892077
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 5От 1 шт.59 619,87 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 159 619,87 ₽
от 352 631,46 ₽
от 1247 390,16 ₽

Все цены с НДС 22%

59 619,87 ₽с НДС 22%