SEMIKRON DANFOSS
Транзистор SKM50GD125D 21918010
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- transistor/transistor
- Topology
- IGBT three-phase bridge
- Max. off-state voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 50 A
- Корпус
- SEMITRANS6
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 9 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%74 528,26 ₽
Сумма · с НДС 22%74 528,26 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 74 528,26 ₽ | |
| от 3 | 67 097,95 ₽ | |
| от 5 | 59 217,32 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SKM50GD125D 21918010 |
|---|---|
| Производитель | SEMIKRON DANFOSS |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
| Topology | IGBT three-phase bridge |
| Max. off-state voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 50 A |
| Корпус | SEMITRANS6 |
| Version | D67 |
| Application | for UPS, Inverter, photovoltaics |
| Electrical mounting | FASTON connectors |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 100 A |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.