IXYS
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: BiMOSFET™ · Collector-emitter voltage: 1.7 kV
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 1 | От 1 шт. | 4 574,55 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 14 574,55 ₽ от 34 043,27 ₽ от 103 634,73 ₽ от 303 387,40 ₽ Все цены с НДС 22% | 4 574,55 ₽с НДС 22% |
IXYS
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: GenX3™, Planar, XPT™ · Collector-emitter voltage: 1.2 kV
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 13 | От 1 шт. | 6 701,53 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 16 701,53 ₽ от 36 298,48 ₽ от 305 640,79 ₽ Все цены с НДС 22% | 6 701,53 ₽с НДС 22% |
BOURNS
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: Field Stop, Trench · Collector-emitter voltage: 600 V
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 399 | От 32 шт. | 549,61 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 32549,61 ₽ от 350447,01 ₽ Все цены с НДС 22% | 17 587,52 ₽с НДС 22% |
IXYS
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: BiMOSFET™ · Collector-emitter voltage: 1.7 kV
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 23 | От 1 шт. | 3 391,07 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 13 391,07 ₽ от 33 046,65 ₽ от 102 846,96 ₽ от 302 740,70 ₽ Все цены с НДС 22% | 3 391,07 ₽с НДС 22% |
Отправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.