Антава

IXYS

Транзистор IXBT24N170

IXBT24N170
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
24 A
Рассеиваемая мощность
250 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 23 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%3 373,87 ₽

Сумма · с НДС 22%3 373,87 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 373,87 ₽
от 33 031,20 ₽
от 102 832,52 ₽
от 302 726,80 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXBT24N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current24 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусTO268
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current230 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.14µC
Kind of packagetube
Turn-on time190ns
Turn-off time1285ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268

Документация

Документ производителя