Антава

BOURNS

Транзистор BIDW30N60T

BIDW30N60T
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
60 A
Рассеиваемая мощность
230 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 399 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%537,96 ₽

Сумма · с НДС 22%17 214,72 ₽

От 32 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 32537,96 ₽
от 350437,54 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBIDW30N60T
ПроизводительBOURNS
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, Trench
Collector-emitter voltage600 V
Collector current60 A
Рассеиваемая мощность230 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge76nC
Turn-on time30ns
Turn-off switching energy0.45mJ
Turn-on switching energy1.85mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3; Eoff: 0.45mJ

Документация

Документ производителя