Антава

IXYS

Транзистор IXBH24N170

IXBH24N170
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
24 A
Power dissipation
250 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%4 696,13 ₽

Сумма · с НДС 22%4 696,13 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 14 696,13 ₽
от 34 150,73 ₽
от 103 731,33 ₽
от 303 477,43 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXBH24N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current24 A
Power dissipation250 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current230 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.14µC
Kind of packagetube
Turn-on time190ns
Turn-off time1285ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3

Документация

Документ производителя