MICROCHIP
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: POWER MOS 7®, PT · Collector-emitter voltage: 900 V
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 57 | От 1 шт. | 1 399,66 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 11 399,66 ₽ от 31 260,43 ₽ от 301 152,34 ₽ Все цены с НДС 22% | 1 399,66 ₽с НДС 22% |
MICROCHIP
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: NPT, POWER MOS 8® · Collector-emitter voltage: 1.2 kV
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 60 | От 1 шт. | 5 415,45 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 15 415,45 ₽ от 34 842,03 ₽ от 104 270,44 ₽ Все цены с НДС 22% | 5 415,45 ₽с НДС 22% |
IXYS
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: BiMOSFET™ · Collector-emitter voltage: 1.7 kV
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 7 | От 1 шт. | 2 766,35 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 12 766,35 ₽ от 32 429,26 ₽ от 102 181,94 ₽ Все цены с НДС 22% | 2 766,35 ₽с НДС 22% |
BASIC SEMICONDUCTOR
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: Field Stop, SiC SBD, Trench · Collector-emitter voltage: 650 V
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 57 | От 1 шт. | 2 572,16 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 12 572,16 ₽ от 52 328,50 ₽ от 302 048,20 ₽ от 1501 716,60 ₽ от 6001 656,15 ₽ Все цены с НДС 22% | 2 572,16 ₽с НДС 22% |
STMICROELECTRONICS
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 650 V · Collector current: 71 A
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 36 | От 1 шт. | 1 496,76 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 11 496,76 ₽ от 21 392,34 ₽ от 51 308,06 ₽ Все цены с НДС 22% | 1 496,76 ₽с НДС 22% |
IXYS
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: BiMOSFET™ · Collector-emitter voltage: 1.7 kV
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 17 | От 1 шт. | 1 868,66 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 11 868,66 ₽ от 101 648,82 ₽ от 301 573,71 ₽ Все цены с НДС 22% | 1 868,66 ₽с НДС 22% |
Отправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.