MICROCHIP
Транзистор APT40GR120B2D30
- Type of transistor
- IGBT
- Технология
- NPT, POWER MOS 8®
- Collector-emitter voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 40 A
- Рассеиваемая мощность
- 500 W
- Корпус
- T-Max
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 60 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%5 370,29 ₽
Сумма · с НДС 22%5 370,29 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 5 370,29 ₽ | |
| от 3 | 4 802,24 ₽ | |
| от 10 | 4 232,39 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | APT40GR120B2D30 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of transistor | IGBT |
| Технология | NPT, POWER MOS 8® |
| Collector-emitter voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 40 A |
| Рассеиваемая мощность | 500 W |
| Корпус | T-Max |
| Gate-emitter voltage | ±30 V |
| Pulsed collector current | 160 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 0.21µC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 47ns |
| Turn-off time | 232ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Part status | Not recommended for new designs |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 40A; 500W; T-Max
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.