Антава

MICROCHIP

Транзистор APT40GR120B2D30

APT40GR120B2D30
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT, POWER MOS 8®
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
40 A
Рассеиваемая мощность
500 W
Корпус
T-Max

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 60 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%5 370,29 ₽

Сумма · с НДС 22%5 370,29 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 15 370,29 ₽
от 34 802,24 ₽
от 104 232,39 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяAPT40GR120B2D30
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT, POWER MOS 8®
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current40 A
Рассеиваемая мощность500 W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.21µC
Kind of packagetube
Turn-on time47ns
Turn-off time232ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Part statusNot recommended for new designs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 40A; 500W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.