Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STGW75H65DFB2-4

STGW75H65DFB2-4
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
71 A
Рассеиваемая мощность
357 W
Корпус
TO247-4
Gate-emitter voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 36 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 473,31 ₽

Сумма · с НДС 22%1 473,31 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 473,31 ₽
от 21 370,52 ₽
от 51 287,57 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTGW75H65DFB2-4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current71 A
Рассеиваемая мощность357 W
КорпусTO247-4
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current225 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge207nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode, Kelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.