Антава

IXYS

Транзистор IXBT16N170A

IXBT16N170A
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
10 A
Power dissipation
150 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 7 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 868,23 ₽

Сумма · с НДС 22%2 868,23 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 868,23 ₽
от 32 518,72 ₽
от 102 262,29 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXBT16N170A
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current10 A
Power dissipation150 W
КорпусTO268
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current40 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge65nC
Kind of packagetube
Turn-on time43ns
Turn-off time370ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268

Документация

Документ производителя