IXYS
IXBH24N170
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: BiMOSFET™ · Collector-emitter voltage: 1.7 kV
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 1 | От 1 шт. | 4 477,64 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 14 477,64 ₽ от 33 957,61 ₽ от 103 557,72 ₽ от 303 315,64 ₽ Все цены с НДС 22% | 4 477,64 ₽с НДС 22% |