Антава
Разделы каталога

Транзисторы и модули IGBT

Подкатегории

Товары в наличии

Товаров на странице: 10
STGD6NC60H-1

STMICROELECTRONICS

STGD6NC60H-1

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 600 V · Collector current: 7 A

Характеристики и документы
Предложения STGD6NC60H-1
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 210От 1 шт.263,81 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1263,81 ₽
от 10188,70 ₽
от 25170,38 ₽
от 75150,23 ₽
от 150139,23 ₽
от 525133,74 ₽

Все цены с НДС 22%

263,81 ₽с НДС 22%
STGP3HF60HD

STMICROELECTRONICS

STGP3HF60HD

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 600 V · Collector current: 4.5 A

Характеристики и документы
Предложения STGP3HF60HD
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 440От 1 шт.197,86 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1197,86 ₽
от 10127,33 ₽
от 50109,55 ₽
от 100100,94 ₽
от 50083,54 ₽
от 100077,31 ₽
от 125075,66 ₽
от 300072,55 ₽

Все цены с НДС 22%

197,86 ₽с НДС 22%
STGP20H60DF

STMICROELECTRONICS

STGP20H60DF

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 600 V · Collector current: 20 A

Характеристики и документы
Предложения STGP20H60DF
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 29От 1 шт.492,81 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1492,81 ₽
от 3415,87 ₽
от 10327,93 ₽
от 50239,99 ₽
от 100225,34 ₽
от 500218,01 ₽

Все цены с НДС 22%

492,81 ₽с НДС 22%
FF300R12KT4HOSA1

INFINEON

FF300R12KT4HOSA1

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: transistor/transistor · Topology: IGBT half-bridge

Характеристики и документы
Предложения FF300R12KT4HOSA1
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 2От 1 шт.26 736,50 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 126 736,50 ₽
от 1025 248,90 ₽

Все цены с НДС 22%

26 736,50 ₽с НДС 22%
STGWA40IH65DF

STMICROELECTRONICS

STGWA40IH65DF

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 650 V · Collector current: 40 A

Характеристики и документы
Предложения STGWA40IH65DF
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 64От 1 шт.472,66 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1472,66 ₽

Все цены с НДС 22%

472,66 ₽с НДС 22%
SK 55 DGL 126 24910820

SEMIKRON DANFOSS

SK 55 DGL 126 24910820

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: diode/transistor · Topology: boost chopper, three-phase diode bridge

Характеристики и документы
Предложения SK 55 DGL 126 24910820
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 9От 1 шт.8 667,29 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 18 667,29 ₽
от 37 824,56 ₽
от 107 293,27 ₽

Все цены с НДС 22%

8 667,29 ₽с НДС 22%
SEMIX151GD12E4S 27890200

SEMIKRON DANFOSS

SEMIX151GD12E4S 27890200

Транзистор

Type of semiconductor module: IGBT · Semiconductor structure: transistor/transistor · Topology: IGBT three-phase bridge, thermistor

Характеристики и документы
Предложения SEMIX151GD12E4S 27890200
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 3От 1 шт.51 650,14 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 151 650,14 ₽
от 245 443,26 ₽
от 441 009,77 ₽
от 838 128,00 ₽
от 1635 467,91 ₽

Все цены с НДС 22%

51 650,14 ₽с НДС 22%
IXYH40N90C3D1

IXYS

IXYH40N90C3D1

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Технология: GenX3™, Planar, XPT™ · Collector-emitter voltage: 900 V

Характеристики и документы
Предложения IXYH40N90C3D1
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 292От 1 шт.2 563,00 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 12 563,00 ₽
от 32 297,35 ₽
от 52 125,14 ₽
от 101 881,48 ₽
от 301 560,88 ₽
от 601 447,30 ₽
от 1201 396,00 ₽

Все цены с НДС 22%

2 563,00 ₽с НДС 22%
LGEGW100N65FP

LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW100N65FP

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 650 V · Collector current: 100 A

Характеристики и документы
Предложения LGEGW100N65FP
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 49От 1 шт.1 287,91 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 11 287,91 ₽
от 31 157,84 ₽
от 101 025,93 ₽
от 30948,99 ₽
от 120886,70 ₽
от 240824,41 ₽
от 450780,44 ₽

Все цены с НДС 22%

1 287,91 ₽с НДС 22%
LGEGW40N65F1

LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW40N65F1

Транзистор

Type of transistor: IGBT · Collector-emitter voltage: 650 V · Collector current: 40 A

Характеристики и документы
Предложения LGEGW40N65F1
Срок поставкиДоступно, шт.ЗаказЦена / шт.КоличествоСуммаДействие
Вариант поставки №16–7 недельДанные на 476От 1 шт.445,18 ₽с НДС 22%
Цены от количества
от 1445,18 ₽
от 3401,21 ₽
от 10355,41 ₽
от 30329,76 ₽
от 120307,78 ₽
от 240285,80 ₽
от 450272,97 ₽

Все цены с НДС 22%

445,18 ₽с НДС 22%