LUGUANG ELECTRONIC
Транзистор LGEGW100N65FP
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 100 A
- Рассеиваемая мощность
- 500 W
- Корпус
- TO247PLUS
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 49 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 267,01 ₽
Сумма · с НДС 22%1 267,01 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 267,01 ₽ | |
| от 3 | 1 137,06 ₽ | |
| от 10 | 1 008,92 ₽ | |
| от 30 | 934,92 ₽ | |
| от 120 | 871,75 ₽ | |
| от 240 | 812,19 ₽ | |
| от 450 | 768,87 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | LGEGW100N65FP |
|---|---|
| Производитель | LUGUANG ELECTRONIC |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 100 A |
| Рассеиваемая мощность | 500 W |
| Корпус | TO247PLUS |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 300 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 135nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 205ns |
| Turn-off time | 375ns |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.