Антава

SEMIKRON DANFOSS

Транзистор SEMIX151GD12E4S 27890200

SEMIX151GD12E4S 27890200
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT three-phase bridge, thermistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
150 A
Корпус
SEMIX®13
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%50 884,36 ₽

Сумма · с НДС 22%50 884,36 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 150 884,36 ₽
от 244 769,50 ₽
от 440 401,75 ₽
от 837 562,70 ₽
от 1634 942,05 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSEMIX151GD12E4S 27890200
ПроизводительSEMIKRON DANFOSS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT three-phase bridge, thermistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current150 A
КорпусSEMIX®13
Applicationfor UPS, Inverter, photovoltaics
Electrical mountingPress-Fit, screw
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current450 A
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge

Документация

Документ производителя