IXYS
IXBT16N170AHV
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: BiMOSFET™ · Collector-emitter voltage: 1.7 kV
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 18 | От 1 шт. | 2 731,54 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 12 731,54 ₽ от 32 429,26 ₽ от 102 181,94 ₽ от 302 039,04 ₽ Все цены с НДС 22% | 2 731,54 ₽с НДС 22% |