Антава

IXYS

Транзистор IXBT16N170AHV

IXBT16N170AHV
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
10 A
Рассеиваемая мощность
150 W
Корпус
TO268HV
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 18 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 780,17 ₽

Сумма · с НДС 22%2 780,17 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 780,17 ₽
от 32 472,50 ₽
от 102 220,78 ₽
от 302 075,34 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXBT16N170AHV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current10 A
Рассеиваемая мощность150 W
КорпусTO268HV
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current40 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge65nC
Kind of packagetube
Turn-on time43ns
Turn-off time370ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV

Документация

Документ производителя