IXYS
IXBT10N170
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: BiMOSFET™ · Collector-emitter voltage: 1.7 kV
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 27 | От 1 шт. | 1 637,83 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 11 637,83 ₽ от 31 471,11 ₽ от 101 372,18 ₽ от 301 326,38 ₽ Все цены с НДС 22% | 1 637,83 ₽с НДС 22% |