Антава

IXYS

Транзистор IXBT10N170

IXBT10N170
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
10 A
Рассеиваемая мощность
140 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 27 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 663,59 ₽

Сумма · с НДС 22%1 663,59 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 663,59 ₽
от 31 494,25 ₽
от 101 393,76 ₽
от 301 347,24 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXBT10N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current10 A
Рассеиваемая мощность140 W
КорпусTO268
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current40 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of packagetube
Turn-on time63ns
Turn-off time1.8µs
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268

Документация

Документ производителя