DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXTP2008GTA

Фото уточняется

Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30 V
Collector current: 5.5 A
Power dissipation: 3 W
Корпус: SOT223-3

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	ZXTP2008GTA
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	PNP
Polarisation	bipolar
Collector-emitter voltage	30 V
Collector current	5.5 A
Power dissipation	3 W
Корпус	SOT223-3
Монтаж	SMD — поверхностный
Частота	110 MHz

Исходное описание поставщика

Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5.5A; 3W; SOT223-3

Документация

Документы пока не предоставлены.