Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMS6006SGTA

ZXMS6006SGTA
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
IntelliFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
2.8 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZXMS6006SGTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияIntelliFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current2.8 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусSOT223
On-state resistance0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2.8A; 1W; SOT223

Документация

Документ производителя