DIODES INCORPORATED
Транзистор ZXMS6005DGTA
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- IntelliFET™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 2 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.3 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 291 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%150,23 ₽
Сумма · с НДС 22%150,23 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 150,23 ₽ | |
| от 10 | 124,58 ₽ | |
| от 25 | 115,97 ₽ | |
| от 50 | 111,94 ₽ | |
| от 100 | 107,91 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | ZXMS6005DGTA |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | IntelliFET™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 2 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.3 W |
| Корпус | SOT223 |
| On-state resistance | 0.2 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | logic level |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2A; 1.3W; SOT223
Документация
Документ производителяДокумент производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.