Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMS6005DGTA

ZXMS6005DGTA
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
IntelliFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
2 A
Рассеиваемая мощность
1.3 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 291 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%150,23 ₽

Сумма · с НДС 22%150,23 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1150,23 ₽
от 10124,58 ₽
от 25115,97 ₽
от 50111,94 ₽
от 100107,91 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяZXMS6005DGTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияIntelliFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current2 A
Рассеиваемая мощность1.3 W
КорпусSOT223
On-state resistance0.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2A; 1.3W; SOT223

Документация

Документ производителяДокумент производителя