DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMP6A18DN8TA

ZXMP6A18DN8TA

Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -3.8 A
Power dissipation: 1.25 W
Корпус: SO8

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	ZXMP6A18DN8TA
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	P-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-3.8 A
Power dissipation	1.25 W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	55 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.8A; 1.25W; SO8

Документация

Документ производителя