Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMP6A18DN8QTC

ZXMP6A18DN8QTC
Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-3.8 A
Power dissipation
1.25 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяZXMP6A18DN8QTC
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-3.8 A
Power dissipation1.25 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance55 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.8A; 1.25W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.