Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMP6A17E6QTA

ZXMP6A17E6QTA
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-3A
Pulsed drain current
-13.6A
Power dissipation
1.92W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяZXMP6A17E6QTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-3A
Pulsed drain current-13.6A
Power dissipation1.92W
КорпусSOT26
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.125Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17.7nC
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; Idm: -13.6A; 1.92W; SOT26

Документация

Документы пока не предоставлены.