DIODES INCORPORATED
Транзистор ZXMP4A16GQTA
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -40 V
- Drain current
- -5.6 A
- Power dissipation
- 2 W
- Корпус
- SOT223
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | ZXMP4A16GQTA |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -40 V |
| Drain current | -5.6 A |
| Power dissipation | 2 W |
| Корпус | SOT223 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.1 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.6A; 2W; SOT223
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.