DIODES INCORPORATED
Транзистор ZXMP10A18GTA
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -100 V
- Drain current
- -3 A
- Рассеиваемая мощность
- 2 W
- Корпус
- SOT223
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 240 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%517,34 ₽
Сумма · с НДС 22%517,34 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 517,34 ₽ | |
| от 10 | 373,64 ₽ | |
| от 15 | 348,49 ₽ | |
| от 25 | 314,36 ₽ | |
| от 50 | 273,04 ₽ | |
| от 100 | 238,91 ₽ | |
| от 250 | 197,60 ₽ | |
| от 500 | 174,24 ₽ | |
| от 1000 | 167,06 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | ZXMP10A18GTA |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -100 V |
| Drain current | -3 A |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Корпус | SOT223 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.15 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3A; 2W; SOT223
Документация
Документ производителяДокумент производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.