Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор ZXMP10A17GQTA

ZXMP10A17GQTA
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-1.9 A
Power dissipation
2 W
Корпус
SOT223

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяZXMP10A17GQTA
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-1.9 A
Power dissipation2 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.45 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.9A; 2W; SOT223

Документация

Документ производителя